Dari 23 hingga 25 September, wartawan belajar di "Persidangan Pembangunan Teknologi Industri Bahan Elektronik 2021 China" yang diadakan di Guangzhou, dengan stesen pangkalan 5G, pengecasan telefon bimbit dan kenderaan elektrik tenaga baru dan bidang lain yang baru muncul peranti semikonduktor mengemukakan keperluan yang lebih tinggi pada kuasa, kecekapan, disipulasi haba dan miniaturisasi, Karbide Silikon (SiC) dan gallium nitride (GaN) sebagai wakil semikonduktor jalur lebar digunakan secara meluas, dan mempercepatkan ke dalam tempoh pembangunan emas.
Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, industri bahan elektronik China telah membuat kemajuan yang besar, membentuk rantaian perindustrian yang agak lengkap, bahan elektronik lebih pelbagai, meliputi banyak bidang dari bahan asas kepada bahan semikonduktor, hasil jualan meningkat tahun demi tahun, kadar pertumbuhan tahunan purata kira-kira 7%. Pada tahun 2020, nilai output tahunan industri bahan elektronik domestik adalah 736 bilion yuan.
Dalam Rancangan Lima Tahun Ke-14 untuk Pembangunan Ekonomi dan Sosial Negara Republik Rakyat China dan Garis Panduan Visi dan Matlamat untuk 2035, yang diterima pakai pada Mac 2021, pembangunan karbide silikon, gallium nitride dan lain-lain semikonduktor jurang band yang luas telah dicadangkan khusus dalam bidang "litar bersepadu".
Menurut IHS Markit, pasaran komponen kuasa SIC dijangka mencapai $ 3 bilion menjelang 2025, dengan kadar pertumbuhan tahunan kompaun sebanyak 30.4%. Dalam tempoh 10 tahun akan datang, substrat kristal tunggal SiC 4 inci secara beransur-ansur akan digantikan dengan substrat 6-8 inci, sekali gus mengurangkan kos peranti kuasa. Mendapat manfaat daripada persekitaran antarabangsa yang kompleks dan promosi dasar, substrat kristal tunggal SiC tempatan telah berkembang pesat dalam beberapa tahun kebelakangan ini.
Feng Zhihong, ketua saintis dalam bidang bahan-bahan fungsian elektronik China Electronics Technology Group Co., LTD., berkata bahawa kenderaan elektrik mempunyai keperluan kebolehpercayaan yang sangat tinggi untuk produk SiC, dan mengurangkan kecacatan adalah salah satu arah penting dalam pembangunan substrat kristal tunggal dan teknologi epitaxial. Pada masa ini, pengeluar arus perdana mempunyai keupayaan untuk menyediakan substrat ketumpatan mikrotube rendah. Pengurangan ketumpatan TSD (spiral disloations) dan BPD (base dislocations) akan menjadi tumpuan kerja penyelidikan dan pembangunan pengeluar substrat. Dilaporkan bahawa kos substrat SiC menyumbang kira-kira 47% daripada jumlah harga peranti kuasa, oleh itu, ia adalah faktor penentu untuk mengurangkan kos peranti kuasa SiC.
"Dalam tempoh 30 tahun akan datang, persaingan pasaran akan menjadi lebih sengit, harga substrat akan terus menurun, kenderaan elektrik menjadi daya pertumbuhan utama peranti SiC, peranti kuasa SIC diramalkan berkembang pada cagR sehingga 28% dalam 5 tahun." Feng zhihong berkata.
Ketika bercakap mengenai perkembangan GaN, Feng Zhihong berkata, substrat kristal tunggal SiC yang dilindungi ketika ini untuk GaN sedang berkembang ke arah saiz yang besar. Dalam tempoh 10 tahun akan datang, substrat kristal tunggal SiC 4 inci akan digantikan secara beransur-ansur dengan 6 inci, untuk mengurangkan harga peranti kuasa rf GaN. Pada masa yang sama, bahan heterojunsi novel GaN dijangka memperluaskan pasaran aplikasi frekuensi tinggi GaN. Pada masa ini, saiz substrat Si arus perdana untuk epitaxial GaN adalah 6 inci, yang akan dilanjutkan kepada 8 inci dalam tempoh 5 tahun akan datang dan 12 inci dalam 10 hingga 15 tahun akan datang, yang akan sangat mengurangkan harga kawasan unit cip epitaxial.
Laporan Yole menunjukkan bahawa kapasiti pasaran janakuasa GaN meningkat dua kali ganda tahun lepas, terutamanya disebabkan penembusan aplikasi pengecasan pantas Huawei, Apple, Xiaomi, Samsung dan pengeluar lain, akan terus mengekalkan trend pertumbuhan pesat pada masa akan datang, dan dijangka menembusi bidang kenderaan elektrik. Feng Zhihong menegaskan bahawa pada masa ini, pengeluar arus perdana telah menyelesaikan kerja-kerja penyelidikan dan pembangunan substrat kristal tunggal GaN 100mm, dan sedang memasuki peringkat pengeluaran besar-besaran. Beberapa pengeluar menjalankan kerja penyelidikan dan pembangunan diameter 150mm. Ia dijangkakan bahawa dalam tempoh 5 tahun, harga seunit substrat akan berkurangan sedikit dengan promosi pesat substrat diameter 100mm.